材料・デバイス関連（担当：野崎） 設備写真はこちら

（ａ）１階クリーンルーム（クラス100および10000）
半導体プロセス装置　1式
　
・ 電子ビーム蒸着装置
真空チャンバー内で金属（金、アルミ、ニッケル、チタンなど）や酸化物を電子線により加熱し、基板に堆積させる。

・ 酸化・拡散炉
最高温度1000度まで窒素、酸素雰囲気中で加熱することができる。シリコンの熱酸化膜の作製に主に利用される。

・ スパッタ装置
金属、酸化物、窒化物などターゲットさえ用意できれば基板にそのターゲット素材の薄膜を堆積できる。一般にシリコン酸化膜、窒化膜、ITOやZnOなどの透明電極薄膜が堆積できる。

・ イオン注入装置
基板にイオン化した不純物を注入することができる。イオン注入後、拡散炉で高温熱処理し、P形、N形の半導体を形成することが可能。

・ 反応性イオンエッチング
極微細加工としてアスペクト比の大きなエッチング（材料の部分的除去）が可能である。対象となる材料は主にシリコン酸化膜などシリコン系材料。

・ ワイヤーボンダー
AlやAu線などを電極に取り付ける。

・ ウエットステーション
化学薬品などを使うドラフトで、純度が非常に高い超純水作製装置が取り付けられている。

・ リソグラフィー
レジストを塗布、ベーク、露光、現像できる。これにより数ミクロンまでのマスクのパターンをレジストに転写できる。

・ 電子線リソグラフィー
数nmまでのリソグラフィーが可能。

・ 電気測定評価
カーブトレーサー、電流・電圧特性評価システム

（ｂ）２階成膜設備   設備写真はこちら

・ 有機金属気相成長(MOCVD)GaN系
GaNやAlNなどIII-V族化合物半導体薄膜を作製できる。

（ｃ）２階材料分析・評価設備  設備写真はこちら

（ｄ）４階３室連携ルーム 設備写真はこちら

・ 微弱発光スペクトロメーター（光・バイオ室）

・ ルミノメーター（光・バイオ室）

・ 発光プレートリーダー（光・バイオ室）

・ 蛍光位相差顕微鏡（機械・ロボット室）