マクロフォトルミネッセンス測定装置

堀場製作所PHOTOLUMINOR管理責任者:田尻武義情報・ネットワーク工学専攻設置場所:東6-137

装置概要

  • 非破壊、非接触による、化合物半導体の組成評価、欠陥評価、量子井戸の評価、不純物評価、結晶性評価が行える。
  • 本装置は試料に紫外レーザーを照射して発生する光を調べる。
  • 白色LED材料や各種半導体材料の発光特性の評価に有効である。
  • 試料は5~300Kで温度調節して発光の温度依存性を調べられる。

測定例

MOVPE 法で成長したGaInP/GaAsのPL測定結果

測定できる物質、状態、大きさ等

  • 半導体、蛍光試料その他、固体、1mmφ程度のレーザービームを照射出来る範囲